微帶TEM小室

horigol的HEM-8A是一個8GHz的IC帶狀線TEM小室，可產生電磁場，用于測試IC、無線通信模塊等小型設備。通過HEM-8A的輸入端口施加的外部測試信號可在單元內產生一致且可預測的TEM測試場。來自在小室中傳輸的設備的輻射場也可以使用測試接收器通過端口檢測。

獨特、緊湊、經濟的設計經過優化，可用于標準TEM小室頻率范圍以外的中等精度測量。HEM-8A的工作原理與TEM單元基本相同。測試體積內的E-H場與輸入電壓成正比，與電池高度成反比。如果將輻射物體插入電池內部，則朝向輸入端口的輻射波由傳輸線引導，并在輸入端通過接收器（如頻譜分析儀）拾取。利用這種方法，可以定量測量輻射裝置的RFI。由于該設備非常寬帶，因此在EMI、EMS、接收機靈敏度測試等領域有許多應用。

特征

高達8 GHz帶寬（超過1 GHz的正常TEM小室帶寬）

可測試高達1 KV的高壓，用于現場注入

3.應用

集成電路電磁抗擾度測試

集成電路的電磁輻射測試

IC的ESD/浪涌場敏感性測試

IEC 61967-8:2011集成電路-150 kHz至3 GHz電磁發射的測量-第8部分：輻射發射的測量-IC帶狀線法

IEC 61967-2集成電路-150 kHz至1 GHz電磁發射的測量-第2部分：輻射發射的測量-TEM小室和寬帶TEM小室法

IEC 62132-8集成電路-電磁抗擾度的測量-第8部分：輻射抗擾度測量-IC帶狀線法

SAE 1752-3集成電路輻射發射的測量-TEM/寬帶TEM（GTEM）小室法；TEM小室（150 kHz至1 GHz）、寬帶TEM小室

4.規格

規格參數

頻率范圍：直流至8 GHz（不期望的高階模式的峰值>6 GHz）

TEM小室阻抗50Ω±5%標稱值

駐波比DC-3 GHz<1.2 3–8 GHz<1.5

插入損耗（S21）DC–8 GHz<1 dB

回波損耗（S11和S22）DC-3 GHz＞20 dB 3-8 GHz＞14 dB

有效隔板至墻壁高度8.0 mm

1V時電池中心的電場強度為125 V/m（1kV時樶大為125 kV/m）

單元中心的H場強度=E場強度/377（A/m）

射頻連接器SMA

樶大輸入功率70瓦

直流時的樶大輸入電壓為1 kV

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